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「パワーデバイスセミナー~SiCパワーデバイスの実現化迫る」開催の御案内

東北経済産業局

ワイドバンドギャップ半導体SiCを採用した、パワーデバイスの実用化が迫ってきました。口火を切るのは車載用途です。電気自動車(EV)やハイブリッド車(HV)などの環境対応車、そのモーター駆動部から搭載が始まる予定です。SiC搭載にともない、高耐熱駆動やスイッチングロスの低減など、様々なデバイス特性が期待されています。また、SiCデバイス製造装置・材料、あるいは自動車駆動部に配備される冷却システムなどの周辺部材も含め、新規ビジネスの台頭にも大きな期待が寄せられています。

今回のセミナーでは、実用化迫るSiCパワーデバイスに焦点を当て、市場規模やデバイスとしての完成度、さらには課題への対応など、実用化を前提としたトータルな視点からSiCパワーを探っていきます。

開催日時

平成31年3月20日(水曜日)

13時00分~18時50分

会場

TKPガーデンシティPREMIUM仙台西口

(仙台市青葉区花京院1-2-15 ソララプラザ 7階/8階)

主催・協賛・後援

主催

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)

協賛

株式会社アドバンテスト

後援

東北経済産業局

宮城県

東京大学大規模集積システム設計教育研究センター(VDEC)

一般社団法人日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

ナノテスティング学会 (予定)

特別協力

株式会社産業タイムズ社

セミナープログラム

13時~13時35分

「電子デバイスにおけるパワーデバイスの位置づけと市場展望」

株式会社産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 副編集長 稲葉 雅巳 氏

13時35分~14時35分

「パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革」

筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 氏

14時35分~15時25分

「車載用パワー半導体の小型・高信頼性化技術」

富士電機株式会社 電子デバイス事業部開発統括部 パッケージ開発部 SiCモジュール課 両角 朗 氏

15時25分~15時30分

「パワーデバイス・イネーブリング協会の紹介」

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 江越 広弥 氏

15時30分~15時40分

ブレイク

15時40分~16時30分

「車載を睨むSiCデバイス実用化技術」

株式会社デンソー エレクトロニクス研究部 パワエレ応用研究室 室長 山田 隆弘 氏

16時30分~17時20分

「SiCパワーデバイスの超高電圧用途への応用」

福島SiC応用技研株式会社 副社長 大阪大学大学院 中村 孝 氏

17時20分~18時50分

講師を囲む名刺交換会

 

申込み

定員

80名

※定員に達し次第、申込みを締め切らせていただきます。

申込み先

参加を御希望の方は、下記申込みフォームより事前申込みをお願いします。

上記申込フォームから申込みが出来ない方は事務局までお問合せ願います。

参加費

5,000円(税込)/1名

(名刺交換会費を含みます)

お問合せ先

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 (担当:秋本)
電話:070-2646-7758
E-MAIL:infoアットマークpdea.jp
※ 【お願い】上記「アットマーク」を「@」に変更してください。
このページに関するお問合せ先
東北経済産業局 地域経済部 製造産業課
電話:022-221-4903(直通)
FAX:022-265-2349
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